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接收器件

 - 高能粒子探測型、... 硅光電二極管
高能粒子探測型 紫外增強型 藍光增強型 可見-近紅外型 1064nm增強型 高速響應型 內置濾光片型 內置前放,制冷型
 - 高速響應型、大光... InGaAs光電二極管
高速響應型 大光敏面型 內置前放,制冷型 波長擴展型 高靈敏度型
 - 鍺光電二極管、硫... 紅外探測器
鍺光電二極管 硫化鉛(Pbs)光電二極管 砷化銦(InAs)光電二極管 硒化鉛(PbSe)光電二極管 銻化銦(IS)光電探測器 碲鎘汞(MCT)光電探測器 低溫操作接收模組 H系列接收模組
 - 紫外增強型、藍光... 硅光電雪崩二極管
紫外增強型 藍光增強型 紅光增強型 可見-近紅外型 近紅外增強型 1064nm增強型 Reach-through型 蓋革工作模式型 內置前放、制冷型 內置濾光片型
 - InGaAs光電雪崩二... InGaAs光電雪崩二極管
InGaAs光電雪崩二極管 內置前放型InGaAs APD
 - LiTaO3 電流模式、... 熱釋電探測器
LiTaO3 電流模式 LiTaO3電壓模式 DLaTGS 電流差分模式 DLaTGS 電流模式 DLaTGS 電壓差分模式
 - 線陣光電二極管陣... 光電二極管陣列
線陣光電二極管陣列 線陣APD陣列 面陣光電二極管陣列 面陣APD陣列 PbSe陣列
 - 固態硅光電倍增管... 固態硅光電倍增管和模組
固態硅光電倍增管 固態硅光電倍增管模組
 - PSD位移探測器、四... 位置探測器
PSD位移探測器 四象限探測器 內置前放型
 - PIN管模組、APD模... 光電二極管接收模組
PIN管模組 APD模組 單光子計數模組
 - 波長探測器、雙波... 雙波長探測器
波長探測器 雙波長光電二極管 內置前放、制冷型 內置前放型
 - 單通道熱電堆、多... 熱電堆
單通道熱電堆 多通道熱電堆 熱電堆模塊 溫度傳感器模塊 陣列

發射器件

 - 紅外黑體光源... 紅外黑體光源
紅外黑體光源
 - 法布里-珀羅腔結構... 激光二極管
法布里-珀羅腔結構 激光二極管 脈沖激光二極管(PLD) 量子點結構 激光二極管 內置VBG光柵 激光二極管 VCSEL 激光二極管
 - 低成本型 激光模組... 激光器模組
低成本型 激光模組 圓形光斑 激光模組 橢圓光斑 激光模組 一字型光斑 激光模組 十字型光斑 激光模組 拉曼光源模組 脈沖激光二極管模組 TEC制冷型 激光模組
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帶金屬底座 鹵素燈 帶反光杯 鹵素燈 硬引腳 鹵素燈 軟引腳 鹵素燈
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金屬弧光燈 弧光燈光源盒
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白光LED模組
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紫外LED 可見LED 近紅外LED 可見光LED芯片 近紅外LED芯片

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其他

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可編程電流放大器
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雙波長光電二極管 - 產品篩選
類別: 不限     波長探測器     雙波長光電二極管     內置前放、制冷型     內置前放型    
光敏面積: 不限     直徑<1mm     直徑1.5mm     直徑2mm     直徑2.5mm     直徑3mm     直徑5mm     直徑10mm    
是否制冷: 不限     帶制冷     不帶制冷    
型號 材料(-) 光敏面尺寸(mm) 工作波長(nm) 響應度(A/W) 分流電阻(MΩ) NEP(W/√Hz) 結電容(pF) 是否制冷(-) 封裝(-)
PIN-DSS Si topØ2.54400 - 11000.45500@-10mV1.3E-1470 -  - 
PIN-DSIn Si topØ2.54400 - 11000.55@870nm150@-10mV1.9E-14150@0v -  - 
PIN-DSIn-TEC Si topØ2.54400 - 11000.55@870nm150@-10mV1.9E-14450@0v -  - 
S/S-025 SiØ2.51000-11000.1 @ 1050 nm -  -  - TO5
S/S-025 Si(top)Ø2.5300-10000.5 @ 850 nm -  -  - TO5
IGA/IGA-020 InGaAsØ2900-17000.9 @ 1300 nm -  -  - TO5
IGA/IGA-020 InGaAsØ217000.05 @ 1750 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/010 UV Si(top)Ø2.5200-10000.6 @ 850 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/010 InGaAsØ11000-17000.6 @ 1300 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020 InGaAsØ21000-17000.6 @ 1300 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020 UV Si(top)Ø2.5200-10000.6 @ 850 nm -  -  - TO5
UVS/IGA-025/020-TE2 UV Si(top)Ø2.5200-10000.5@P -  -  - TO8
UVS/IGA-025/020-TE2 InGaAs(TEC)Ø21000-17000.6@P -  -  - TO8
S/IGA-010/010 Si(top)Ø1300-10000.6 @ 850nm -  -  - TO18
S/IGA-010/010 InGaAsØ11000-17000.90 @ 1300nm -  -  - TO18
S/IGA-025/010 Si(top)Ø2.5300-10000.6 @ 850nm -  -  - TO5
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