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接收器件

 - 高能粒子探測型、... 硅光電二極管
高能粒子探測型 紫外增強型 藍光增強型 可見-近紅外型 1064nm增強型 高速響應型 內置濾光片型 內置前放,制冷型
 - 高速響應型、大光... InGaAs光電二極管
高速響應型 大光敏面型 內置前放,制冷型 波長擴展型 高靈敏度型
 - 鍺光電二極管、硫... 紅外探測器
鍺光電二極管 硫化鉛(Pbs)光電二極管 砷化銦(InAs)光電二極管 硒化鉛(PbSe)光電二極管 銻化銦(IS)光電探測器 碲鎘汞(MCT)光電探測器 低溫操作接收模組 H系列接收模組
 - 紫外增強型、藍光... 硅光電雪崩二極管
紫外增強型 藍光增強型 紅光增強型 可見-近紅外型 近紅外增強型 1064nm增強型 Reach-through型 蓋革工作模式型 內置前放、制冷型 內置濾光片型
 - InGaAs光電雪崩二... InGaAs光電雪崩二極管
InGaAs光電雪崩二極管 內置前放型InGaAs APD
 - LiTaO3 電流模式、... 熱釋電探測器
LiTaO3 電流模式 LiTaO3電壓模式 DLaTGS 電流差分模式 DLaTGS 電流模式 DLaTGS 電壓差分模式
 - 線陣光電二極管陣... 光電二極管陣列
線陣光電二極管陣列 線陣APD陣列 面陣光電二極管陣列 面陣APD陣列 PbSe陣列
 - 固態硅光電倍增管... 固態硅光電倍增管和模組
固態硅光電倍增管 固態硅光電倍增管模組
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PSD位移探測器 四象限探測器 內置前放型
 - PIN管模組、APD模... 光電二極管接收模組
PIN管模組 APD模組 單光子計數模組
 - 波長探測器、雙波... 雙波長探測器
波長探測器 雙波長光電二極管 內置前放、制冷型 內置前放型
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單通道熱電堆 多通道熱電堆 熱電堆模塊 溫度傳感器模塊 陣列

發射器件

 - 紅外黑體光源... 紅外黑體光源
紅外黑體光源
 - 法布里-珀羅腔結構... 激光二極管
法布里-珀羅腔結構 激光二極管 脈沖激光二極管(PLD) 量子點結構 激光二極管 內置VBG光柵 激光二極管 VCSEL 激光二極管
 - 低成本型 激光模組... 激光器模組
低成本型 激光模組 圓形光斑 激光模組 橢圓光斑 激光模組 一字型光斑 激光模組 十字型光斑 激光模組 拉曼光源模組 脈沖激光二極管模組 TEC制冷型 激光模組
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帶金屬底座 鹵素燈 帶反光杯 鹵素燈 硬引腳 鹵素燈 軟引腳 鹵素燈
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金屬弧光燈 弧光燈光源盒
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白光LED模組
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紫外LED 可見LED 近紅外LED 可見光LED芯片 近紅外LED芯片

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※產品展示 > 紅外探測器 > 鍺光電二極管
鍺光電二極管 - 產品篩選
類別: 不限     鍺光電二極管     硫化鉛(Pbs)光電二極管     砷化銦(InAs)光電二極管     硒化鉛(PbSe)光電二極管     銻化銦(IS)光電探測器     碲鎘汞(MCT)光電探測器     低溫操作接收模組     H系列接收模組    
光敏面積: 不限     小于10mm2     大于10mm2    
封裝類型: 不限     金屬封裝     其他封裝    
型號 光敏面面積(mm) 響應度(A/W) 分流電阻(Ohms) 電容(pF) NEP(W/√Hz) 是否制冷(-) 封裝(-)
G-010 1×10.90 @ 1.5 μm200k15003E -13@1.5umTO-18
G-020 2×20.90@1.1µm≥ 90k9000<4.5E-13@1.5umTO-5
G-030 3×30.90≥ 40k13000<7E-13@1.5µm,100HzTO-5
G-050 5×50.9 @ 1.50 μm10k min ; 15k typ30000 typ<1.5×10-12@1.5umTO-8
G-100 10 x 100.9 @ 1.55 μm2k min ; 4k typ30000 typ<3.5E-12@1.55umC
G-130 13×100.9 @ 1.55 μm1k min ; 2k typ40000<5E-12@1.55umC
G-010-TE2 1×10.90@1.1µm200k@22°C
100M@-30°C
15003E-13@1.3um,22°C
1.5E-14@1.3um,-30°C
B
G-020-TE2 2×20.90@1.51µm90k@22°C
50M@-30°C
90004.5E-13@1.3um,22°C
2E-14@1.5um,-30°C
B
G-030-TE2 3×30.90@1.5µm40k@22°C
10M@-30°C
130007E-13@1.5um,22°C
4E-14@1.5um,-30°C
B
G-050-TE2 5×50.90@1.5µm15k@22°C
5M@-30°C
300001.5E-12@1.5um,22°C
6E-14@1.5um,-30°C
B
G-100-TE2 10 x 100.9 min @ 1.55 μm2k@22°C
50K@-30°C
30000<3.5E-12@1.55um,22°C
<7E-13@1.55um,-30°C
A
G-130-TE2 13 x 100.9 min @ 1.55 μm1k@22°C
25K@-30°C
40000<5E-12@1.55um,22°C
<1E-12@1.55um,-30°C
A
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